Rasterelektronenmikroskopie (REM) in der Fehleranalyse (FA)
SEM ist ein unverzichtbares Werkzeug für die Fehleranalyse in der Elektronikfertigung und bietet Auflösungen im Nanometerbereich- und Elementaranalysefunktionen. Seine hohe Vergrößerung und große Schärfentiefe ermöglichen eine detaillierte Untersuchung von Oberflächendefekten, Materialbrüchen und mikrostrukturellen Anomalien.
Bei FA-Anwendungen zeichnet sich SEM aus durch:
- Identifizieren von Lötstellenfehlern (Risse, Hohlräume, intermetallische Verbindungen)
- Erkennung von Halbleiterdefekten (Gate-Oxid-Durchbruch, Elektromigration)
- Analyse von Verunreinigungen und Korrosionsprodukten
- Untersuchung von Whisker-Wachstum und Leitfähigkeitsanomalien
In Verbindung mit EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) bietet SEM sowohl morphologische als auch kompositorische Analysen in einem einzigen Gerät. Dies macht es der optischen Mikroskopie bei der Ursachenanalyse von Ausfällen elektronischer Komponenten überlegen. Die Vielseitigkeit der Technik erstreckt sich auf MEMS-Geräte, fortschrittliche Verpackungen und die Inspektion mehrschichtiger Leiterplatten und bietet wichtige Erkenntnisse für Qualitätsverbesserung und Zuverlässigkeitssteigerung.
